据 Tom’s Hardware(https://www.tomshardware.com/tech-industry/semiconductors/intel-patent-reveals-new-xbm-memory-architecture-that-ditches-hbms-costly-silicon-interposer-backend-transistor-dram-stack-uses-ucie-links-and-built-in-repair-to-ease-ais-memory-bottleneck)报道,英特尔申请了一项名为XBM(eXtreme Bandwidth Memory,极限带宽存储器)的新型存储架构专利,该架构被设计为目前主导市场的HBM(高带宽存储器)的替代方案。
无需昂贵硅中介层的新技术
XBM架构摒弃了HBM堆叠中作为存储芯片与逻辑之间昂贵且复杂连接元件的硅中介层。取而代之的是,英特尔采用了一种后端晶体管DRAM堆叠技术,实现了存储单元的直接堆叠。这种方法不仅降低了制造成本,还大幅简化了封装工艺。
UCIe连接与集成修复机制
新架构的核心元素之一是UCIe(Universal Chiplet Interconnect Express,通用Chiplet互连快车)链路,作为标准化的Chiplet连接,支持存储模块与逻辑之间灵活且高速的通信。此外,英特尔在XBM模块中集成了修复逻辑,能够自动检测并绕过损坏的存储单元。这提升了存储芯片的可靠性和寿命,尤其对高要求的人工智能工作负载至关重要。
对人工智能与高性能计算的重要意义
人工智能应用对存储带宽和容量的不断增长需求,是硬件开发面临的最大挑战之一。传统HBM解决方案因成本高昂且受限于硅中介层的扩展性而遇到瓶颈。英特尔的XBM方案有望打破这些限制,提供一种更具成本效益且可扩展的存储解决方案,专门满足人工智能加速器和高性能计算的需求。
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