据 Tom’s Hardware(https://www.tomshardware.com/tech-industry/semiconductors/intel-patent-reveals-new-xbm-memory-architecture-that-ditches-hbms-costly-silicon-interposer-backend-transistor-dram-stack-uses-ucie-links-and-built-in-repair-to-ease-ais-memory-bottleneck)报道,英特尔申请了一项名为XBM(eXtreme Bandwidth Memory,极限带宽存储器)的新型存储架构专利,该架构被设计为目前主导市场的HBM(高带宽存储器)的替代方案。
无需昂贵硅中介层的新技术
XBM架构摒弃了HBM堆叠中作为存储芯片与逻辑之间昂贵且复杂连接元件的硅中介层。取而代之的是,英特尔采用了一种后端晶体管DRAM堆叠技术,实现了存储单元的直接堆叠。这种方法不仅降低了制造成本,还大幅简化了封装工艺。
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